hi, Fri, Apr 13, 2018 at 15:33:35, alex wrote about "Re: [uanog] об индусах и программировании, или о том почему всё глючит...":
миллионными тиражами выпускается и продается, и не один год. Банкротить? :) с какого перепугу? это не Эпл, это не "мождный разработчик прикладух" - там индустрия - микросхемы, транзисторы, МК и прочее. Почитай на досуге - что такое Техас Инструментс.
VN> Но они точно так же могут закрыть своё направление, если увидят VN> сильное падение продаж.
А кто у нас вечен ? :) любой производитель может. Так что, ничего не разрабатывать?
Безусловно. Я к тому, что именно это не является преимуществом MSP430.
это революционная память по возможностям. Почитай. Это как в Винде: выключил питание - а потом пришел включил и не надо загрузку Винды, программ с жесткого и программы снова - все в памяти есть уже - с того места где "выкл" нажал - все на месте, просто процессор вперед считать. При выключении FRAM помнит все, и скорость ее работы как у ОЗУ...
Почитал. Про "скорость как ОЗУ" однозначно ерунда. "Existing 350 nm devices have read times on the order of 50–60 ns." "current FeRAMs may complete a write in less than 150 ns." При том, что в SRAM это сотни пикосекунд. В DRAM тоже, после того, как строка "открыта" и перелита в буферную SRAM, а на полный цикл закрытия-открытия строки в современных версиях 25-30 нс. Если к FRAM приладить контроллер, аналогичный таковому в DRAM, можно получить скорость, немного меньше исходной SDRAM (и около 1/5 от DDR4), но теряется преимущество в безусловной сохранности - при выключении питания надо успеть сохранить строку. По сравнению с DRAM и с флэшом - крайне низкая плотность даже по сравнению с NOR flash. Количество циклов до деградации существенно выше (триллионы, если не врут, по сравнению с ~1M у NOR flash), но при такой плотности преимущество будет, только если использовать её как RAM. При выделенном устройстве под конфигурацию/etc. - не лучше NOR flash. Под прошивки, понятно, не лучше, чем NAND flash.
Почему не ставят везде? а почему флешки с 1000 записей до сих пор производят если давно есть технология записи на фазовых переходах, которая в сотни раз быстрее? ответ прост: еще старые заводы и фотошаблоны не стерлись :)
FRAM уже 13 лет от реального запуска в промышленный выпуск. "Fujitsu and Seiko-Epson were in 2005 collaborating in the development of a 180 nm FeRAM process." За это время заводы обновились чуть менее чем все, а шаблоны давно стёрлись (они вообще живут несколько месяцев в лучшем случае). Так что технология прикольная, но не настолько. Кстати, пишут, что при этом она ещё страдает проблемами исходных версий ферромагнитной памяти - когда чтение было разрушающим. В конце жизни классической памяти на ферритовых сердечниках появились неразрушающие чтения, но там запоминающий элемент хитрой формы - два тоннеля под прямым углом друг к другу. Видимо, это ещё сложнее делать в микросхеме, раз не делают...
STM в реалтайм системах, как и сам АРМ по философии, не может гарантировать время выполнения операций, в том числе по "сложить в стек" и по DMA, о чем все молчаливо умалчивают.
VN> ARM может. Сама ISA никак не требует кэша или чего-то подобного, и VN> позволяет делать предельно точное обещание времени операции.
и даже если DMA использовать ? :) будет точное время отработки? и посмотри сколько всего он в стек должен уложить при любом чихе с прерыванием и CALL...
Ну так сколько именно уложить это вопрос чисто количественный. Вопрос качества это именно гарантия времени. В случае DMA зависит от метода арбитража общей шины. Что там сейчас в этой области в embedded - не знаю, но если есть правильный арбитраж в MSP430, не было бы проблемы перетащить его в ARM...
Я вообще не понимаю зачем пошли в сторону "графических карт". Просто кусок памяти отображаемый в телевизор - самое быстрое, простое и супер по производительности решение. Никаких шин и обработок по дороге от проца к памяти и изображению.
В том и дело, что ЦП заткнётся, если не вынести все эти шейдеры в тысячи маленьких медвежат^W шейдерных процессоров... Ну слишком дофига там возни... -netch-